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泛林集团推出选择性刻蚀设备组合 以支持芯片制造商开发环栅 (GAA

作者:admin      来源:admin      发布时间:2022-02-28
html模版泛林集团推出选择性刻蚀设备组合 以支持芯片制造商开发环栅 (GAA) 晶体管结构

2月10日消息,泛林集团宣布推出一系列新的选择性刻蚀产品,这些产品应用突破性的晶圆制造技术和创新的化学成分,以支持芯片制造商开发环栅 (GAA) 晶体管结构。泛林集团的选择性刻蚀产品组合包含三款新产品 Argos、Prevos 和 Selis,为先进逻辑和存储器半导体解决方案的设计和制造提供了强大优势。

集成了泛林集团最新Prevos和Selis的设备系统

随着现代技术和器件的不断发展,对提高性能和效率所需的更高器件密度的需求也在增加。为了跟上摩尔定律的步伐,芯片制造商目前正在开发垂直晶体管架构这是一种非常复杂的工艺,需要超高选择性、精密刻蚀和均匀的各向同性材料去除,同时不改变或损坏其他关键材料层。

泛林集团的选择性刻蚀解决方案提供支持先进逻辑纳米片或纳米线形成所需的超高、可调选择性和无损伤的材料去除,使芯片制造商能够在 DRAM 达到其平面微缩极限后实现从平面结构到三维结构的又一次进化式飞跃。

泛林集团的这一选择性刻蚀产品是与全球最具创新精神的逻辑和晶圆芯片制造商合作开发而成的,已被三星电子等行业领导者的晶圆厂使用,以支持先进逻辑晶圆开发过程中的近十多个关键步骤。

三星半导体研发中心专家Keun Hee Bai 博士表示:半导体行业不断向更强大和更快的器件能力迈进。随着器件的密度和复杂性不断大幅提升,选择性刻蚀技术对于制造我们最先进的逻辑器件至关重要。随着全球对三星技术的需求持续攀升,我们依靠选择性刻蚀产品所具有的各种创新技术和能力来提升产能并加速我们的逻辑器件路线图,以推出先进逻辑环栅器件,甚至更先进的器件。

泛林集团的选择性刻蚀产品组合由三个新设备组成:

Argos具有革命性的 MARS(Metastable Activated Radical Source,亚稳态活性自由基源)技术能够选择性地改性和净化晶圆表面。其突破性的处理和调整能力使芯片制造商能够精确地处理、优化晶圆表面,利来最给力老牌,以获得最佳性能。

Prevos通过将新型化学成分和创新的蒸汽技术与灵活的温度控制相结合,实现氧化物、硅和金属的原子层精度的超高选择性刻蚀。Prevos 利用了由泛林集团开发的全新专有化学技术解决方案,可以添加额外的化学成分来满足芯片制造商的生产需求。

Selis独具一格地采用自由基和热刻蚀能力,能够实现超高选择性刻蚀和从上到下均匀的工艺控制,而不会损坏晶圆结构。

Prevos 和 Selis也可以作为单一的集成设备交付,以提供独特的多层选择性刻蚀、更好的排队时间控制和最大的生产灵活性。

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